Créée en novembre 2008 et opérationnelle depuis juillet 2009, la société NEXCIS a pour vocation à développer un procédé low cost de production de cellules photovoltaïques en couches minces (CIGS : Cuivre, Indium, Gallium, Sélénium) via une technologie de rupture. Objectif : développer un process compétitif par rapport au silicium cristallin chinois autour d’une ambition industrielle française !
Innovation : Du procédé à l’encapsulation
Depuis quelques mois, Nexcis, dans le cadre du projet SOLCIS cofinancé par OSEO, travaille sur la technologie des couches minces CIGS, celle qui doit permettre de passer un cap. Pour l’heure, la réalisation des couches minces en CIGS est essentiellement fondée sur un procédé classique qui consiste à co-évaporer, sous vide, du cuivre, du gallium et de l’indium en surpression de sélénium. Eh bien, Nexcis a pour ambition de réaliser ces opérations en limitant justement les étapes sous vide et en les réalisant sous pression atmosphérique avec à la clé des gains de temps et de coût. Les ingénieurs de Nexcis sont ainsi en train de mettre au point un système d’électro dépôt de cuivre, d’indium et de gallium recuit sous atmosphère de sélénium et de soufre.
De leur côté, les équipes de RESCOLL…..